PEGASUS软件

专业低温等离子体与稀薄气体仿真软件

- 放电等离子体 (CCP、ICP、DBD、辉光等)

- 材料表面处理(磁控溅射、刻蚀沉积、离子注入)

- 稀薄气体与真空技术 (真空蒸镀、稀薄气体)

PEGASUS软件是专业低温等离子体与稀薄气体仿真软件，该软件专注于稀薄气体的直接蒙特卡洛模拟和各种表面科学以及各种气压下放电等离子体仿真计算，能广泛用于等离子体技术、半导体/微电子工业、真空技术、薄膜技术、微细加工技术等领域研究开发，应用行业涵盖电子/半导体、新材料(纳米管、光纤)、新能源(燃料电池、太阳能光伏)、MEMS、光学、陶瓷、食品/饮料、汽车、航天、金属加工等领域。

1. PEGASUS软件主要应用范围

1） 放电模拟

ICP、CCP、DBD、磁控溅射、空心阴极、辉光放电、微放电等

带电粒子束的行为

离子注入等离子体源

表面改性等离子体源

微等离子体

2） 等离子体设备模拟

PECVD和刻蚀反应设备中的放电过程与中性气体行为

磁控溅射装置全工艺过程模拟

3） 真空设备与稀薄气体模拟

真空设备中的稀薄气体仿真、稀薄气体中的粒子行为、抽真空动态仿真

真空蒸镀全工艺过程仿真

4） 材料表面处理特征轮廓、表面形貌模拟

PVD / CVD / PECVD/刻蚀精密加工过程的表面形貌演化

等离子体干法刻蚀过程仿真

2. PEGASUS软件模块分类

1） 基本模块

GUIM (Graphical User Interface Module) 图形界面模块提供全部其他模组的操作界面

Atomic/Molecular database 电子/离子/中性气体中的截面数据与输运系数数据库

TTBEQ (Two-term approximation Boltzmann equation) 基于两项近似展开的波尔兹曼方程，求解电子输运系数

2） 等离子体模块

MSSM / MSSM3D (Magneto Static Simulation Module) 计算由线圈和永磁体产生的磁场分布

PHM / PHM3D (Plasma Hybrid Module) 基于流体模型，通过求解电子连续性方程和能量方程给出电子密度与温度

PIC-MCCM / PIC-MCCM3D (Particle In Cell with Monte Carlo Collision Module) 求解基于PIC算法的放电模型

IMCSM (Ion Monte Carlo Simulation Module) 基于PHM模块的变化电场，采用蒙特卡罗抽样的方式计算离子的温度分布以及输出离子的能量分布函数。

SMCSM (Sheath Monte Carlo Simulation Module) 根据鞘层模型或者PHM模块的计算结果，计算鞘层中的离子能量和角度分布。

3）中性气体和热传导热辐射模块

NMEM  /NMEM3D (Neutral Momentum Equation Module) 求解NS方程、对流-扩散方程给出密度场、速度场和温度场分布

DSMCM / DSMCM3D (Direct Simulation Monte Carlo Module) 利用直接蒙特卡洛方法计算稀薄气体粒子输运过程

RGS3D (3D 3D Rarefied Gas Dynamics Simulation Software) 利用直接蒙特卡洛方法模拟三维扰Ｅ＝鸹ㄓ蜗穉pp庑巫辞蛑械南”∑辶鞫

HTRM2D / HTRM3D (Heat Tranfer with Radiation Module) 热传导分析与辐射传热模块

4）表面过程模块

SASAMAL(Simulation of Atomic Scattering in Amorphous Material based on Liquid Model) 计算入射离子在材料中的注入深度和密度及组分分布

SPUTSM (Sputtering Simulation Module) 计算磁控溅射中溅射粒子的产额

FPSM2D/ FPSM3D (Feature Profile Simulation Module) 计算PVD/PECVD/干法刻蚀过程中薄膜形貌、刻蚀剖面的演化

3. PEGASUS软件典型应用案例

3.1 放电等离子体源 (CCP、ICP、DBD、空心阴极、辉光、微放电等)

PEGASUS提供等离子放电过程及性能监测的仿真能力，能够给出放电过程中不同阶段等离子体的运动特征分布及能量分布等。可以仿真低气压中高频激励下的容性放电；也可以用于研究几托到几百托，甚至更高气压下，高频线圈激励的感应耦合放电；还可以用来计算有绝缘介质插入的大气压下的介质阻挡放电。可以用于放电等离子体源的放电参数以及装置设计等，也可以用于对微等离子体放电的内部过程进行机理研究。

1） 氢气CCP放电模拟

下面是日本名古屋大学Prof. Hori实验室的刻蚀反应器，进行模拟结果与实验结果吻合。工作气体为5Pa的H2，气体流量为200sccm，射频源为60MHz，200V。采用PIC-MCCM和NMEM模块耦合仿真。

2） SF6 ICP放电模拟

PHM模块与中性模块DSMCM的耦合计算。气压20mTorr，感应线圈：1KW，13.56MHz。

3） H2感性放电模拟

采用PHM模块进行H2感应放电的仿真。放电腔直径250mm、长度220mm。气压1Pa，感应线圈：10KW，13.56MHz。

4） O2电负性放电（ICP放电）

用PHM模块模拟氧气的电负性放电，气压218mTorr，线圈工作频率13.56MHz，功率150W；放电腔半径100mm。

计算模型二维剖面图                   电子密度分布             O2+离子密度分布

O-离子密度分布           电子温度分布            ICP沉积功率

5） 空心阴极放电

用PIC-MCCM模块对不规则形状工件的类金刚石镀层进行了模拟。给出了电子密度、电子流量等在工件表面的空间分布演化。工作气体为50Pa-300Pa的N2，电源分别为3kV和500V。

3.2 等离子体刻蚀工艺仿真

1） ICP放电等离子体刻蚀

第一步  放电仿真

外边界接地，模型尺寸150mm×200mm，仿真使用PHM模块，采用二维轴对称模型。

第二步  鞘层中离子分布仿真

利用第一步运算结果的密度分布，电场变化以及模型文件；仿真使用IMCSM模块，采用二维轴对称模型。

SF5+角度分布                       SF5+能量分布

SF4+角度分布                       SF4+能量分布

第三步  刻蚀仿真

导入角度分布和能量分布到刻蚀模块FPSM中，模型尺寸3μm×7μm。

3600 s刻蚀后的结果

2） Flare刻蚀

FPSM2D用于研究不同刻蚀气体组分对硅表面刻蚀的影响，并给出形貌演化。

3） 3D深孔刻蚀

3.3 磁控溅射仿真

对于磁控溅射的仿真，可以分为四个步骤：1) 建立背景磁场；2) 在背景磁场作用下，通过气体放电，获得到达靶材壁面的离子流量；3) 具有一定能量的离子轰击到靶材，溅射靶材原子；4) 溅射出来的靶材原子沉积到基片，形成镀膜。

磁场计算→放电计算→靶材溅射计算→靶材粒子输运计算

1） 2D磁控溅射全过程仿真

2） 3D磁控溅射全过程仿真

本例是做磁控溅射三维放电模拟。其中静磁场、等离子体放电分别采用MSSM3D、PIC-MCCM3D模块。

计算结果：

等离子放电仿真：

             电子密度分布XY方向切片图              电子密度ZX面切片图

电位分布XY方向切片图                电位分布ZX面切片图

离子密度分布（XY方向）                 离子密度分布（XZ方向）

溅射Al原子XY面密度分布       溅射Al原子ZX面密度分布，靠近基板

3.4 真空蒸镀仿真

真空蒸发镀膜是在真空条件下，用蒸发器加热蒸发物质使之汽化，蒸发粒子流直接射向基片上沉积形成固态薄膜的技术。RGS3D模块利用直接蒙特卡洛方法模拟气体分子的碰撞和输运过程，可以计算三维扰Ｅ＝鸹ㄓ蜗穉pp庑巫吹南”∑辶鞫瓤梢源斫峁够褚部梢源硭拿嫣宸墙峁够衲Ｐ停С帜Ｐ椭杏性硕牟考、蒸发源、进气出气端口等特征。可以输出中性粒子密度、温度、流速、能量分布等参数，可以统计粒子的压强、平均自由程、流场分布等参数。如果需要热辐射计算，需要HTRM3D模块，它用于计算固体的热传导和热辐射。HTRM3D可以和RGS3D耦合迭代计算。

1） 3D真空蒸镀过程仿真

利用RGS3D模块对真空蒸镀过程进行模拟，并与实验结果进行了对比。同时给出了蒸镀粒子在空间中的分布。

                                               膜厚度的仿真和实验结果相比较

密度、压力等的空间分布

2） 多源共蒸发仿真

多源共蒸发仿真，用于显示器面板OLED工艺仿真，包括真空腔内稀薄气体仿真、热仿真和面板壁面的沉积仿真。

AlQ3薄膜面板沉积仿真，如下图。

3.5 稀薄气体仿真

NMEM模块、DSMCM模块和RGS3D模块是专门针对中性稀薄气体的仿真模块，分别为流体算法和中性算法。能够对10^(-9)Pa至10atm气压范围的中性气体的行为、特征进行表征。可以仿真稀薄气体中的纳米粒子在微尺度下的分子与原子行为；也可以对多种真空设备中的稀薄气体进行动理学和粘性流的模拟。同时，中性稀薄气体的模拟可以与等离子放电进行耦合，分析中性粒子对等离子体中的带电粒子的影响。

1） 稀薄大气高速飞行器气动性能3D仿真

本例仿真距离地面100km高空，高速飞行器的气动模型。仿真条件为：N（0.08Pa）和O（0.02Pa）混合气体，飞船移动速度为5000m/s（约14.7马赫）。模拟飞船飞行迎风面受到的大气阻力以与气体的摩擦发热效果。仿真模块为RGS3D模块。

仿真模型                压强分布

温度分布                      气体密度分布

2） H2在大型复杂真空腔室中的动态分布仿真

本例是对某大型真空设备所做的仿真计算，三维模型如下：

 三维仿真模型                    引出区三层网孔结构

    计算模拟气体在真腔室的输运过程，以及各子腔室内的气压分布情况。仿真气体为H2，压强范围10-4~2Pa。仿真模块为RGS3D模块。

   引出区前后压强梯度分布                        压强分布切面图（横切，纵切）

3） 冷凝泵抽真空过程数值模拟

    真空室为环形轮胎状结构，环形中心半径2000mm，环形截面半径500mm。冷凝管半径12.8mm，维持温度4.5K。真空室填充气体为H2。初始压强0.5Pa。仿真按照对称结构截取环形的1/20参与计算，扇角20 。RGS3D建模以及非结构化网格划分如下：

气体热运动速率分布           壁面粒子碰撞密度分布               壁面温度分布

 4） 喷头结构CVD装置中稀薄气体流动仿真 (RGS3D)

喷嘴与腔体

压强

密度

3.6 镀膜仿真

1） 多层膜PVD模拟

被吸附的粒子的能量和角度分布分别为10eV和cosθ的四次方；三种入流粒子；每种粒子的模拟数量为5兆。

入射角度分布                形状分布(T=200s)

2） 3D物理气相沉积--铜镀膜

利用FPSM3D模块对工件表面进行的物理气相沉积过程进行仿真。给出沉积薄膜的形貌、厚度等特征，从微观角度了解沉积过程。其中Cu的入射流量为1e21/m^2/s。

3） 薄膜沉积形貌计算（RGS3D，FPSM3D）

1）腔体内气体计算(RGS3D)，基板流量均匀性计算与实验值比较。

2）薄膜沉积膜厚计算，并与实验值比较(FPSM3D)。

4. PEGASUS软件用户

PEGASUS软件典型用户如下：

ADVANTEST、Asahi Kasei、CANON-Tokki、CANON、EBARA、Fujifilm、JX Nippon Mining &Metals、Hitachi、IDEMITSU、KONICA MINOLTA、KYOCERA、LAPIS semiconductor、LG Display、Mitsubishi Heavy Industries、Mitsubishi Materials、Mitsubishi Plastics 、Nippon steel Chemical、Nissin electric、NIKON、NITTO DENKO、PANASONIC、Renesas electronics、SANYO、Samsung、Sumitomo Electric Industries、TDK、Tokyo electron、TORAY、Toshiba、ULVAC、USHIO等。